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韓國制定《半導體超級強國戰(zhàn)略》

日期:2023-02-09 00:00:00
  2022年7月,韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部發(fā)布《半導體超級強國戰(zhàn)略》,以“打造實力雄厚的企業(yè),培養(yǎng)優(yōu)秀半導體人才,成為半導體超級強國”為愿景,圍繞四大行動方向發(fā)展本國半導體產(chǎn)業(yè),包括:大力支持企業(yè)投資;官民合作培養(yǎng)半導體人才;確保系統(tǒng)半導體技術居世界領先地位;構建穩(wěn)定的材料、零部件和設備生態(tài)系統(tǒng)。通過一系列舉措的部署,韓國希望實現(xiàn)以下四大戰(zhàn)略目標:引導半導體企業(yè)在未來5年內投資340萬億韓元(約合人民幣1.75萬億元);在未來10年內培養(yǎng)15萬名半導體專業(yè)人才;到2030年將全球系統(tǒng)半導體市場占有率從3%提升至10%;到2030年將材料、零部件和設備自給率從30%提升至50%。
一、出臺背景
近年來,許多國家和地區(qū)認識到半導體對于技術主權、國家安全的重要影響,紛紛制定半導體產(chǎn)業(yè)的國家級戰(zhàn)略,半導體產(chǎn)業(yè)逐漸成為各國博弈的重點領域。作為半導體強國之一的韓國勢必想鞏固本國在半導體領域的優(yōu)勢地位。在此背景下,韓國政府發(fā)布《半導體超級強國戰(zhàn)略》,原因有三:
其一,半導體是韓國的核心產(chǎn)業(yè),作為韓國連續(xù)九年出口占比最高的產(chǎn)業(yè),極大地拉動了韓國經(jīng)濟增長。同時,半導體產(chǎn)業(yè)在全球經(jīng)濟中的比重近年來大幅增加。據(jù)統(tǒng)計,2021年世界半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模約為6千億美元,增幅達24.2%。
其二,半導體是實現(xiàn)數(shù)字革命和綠色革命的關鍵要素,是決定國家競爭力的關鍵因素。隨著人工智能、大數(shù)據(jù)的出現(xiàn),為實現(xiàn)大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲和處理,對高能效、低能耗智能半導體的需求增加。此外,在電動汽車等新興領域,電力半導體也是必備要素。
其三,主要國家(地區(qū))紛紛采取行動支持半導體產(chǎn)業(yè),全球半導體競爭日趨激化。例如,美國政府將撥款520億美元推動本國半導體制造業(yè)發(fā)展,歐盟、日本等國(地區(qū))政府也正在積極研討制定相關支持方案。
二、韓國半導體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀:危機四伏
《戰(zhàn)略》指出,目前全球在半導體領域的競爭十分激烈,而韓國在企業(yè)投資、人力資源、技術實力以及半導體材料、零部件和設備等四大方面的現(xiàn)狀均不容樂觀。
在企業(yè)投資方面,與主要國家相比,韓國政府對半導體企業(yè)大規(guī)模投資的補貼和稅收支持力度不足。同時,利率上調和通貨膨脹加重了企業(yè)的設備投資負擔。此外,地方政府對半導體企業(yè)投資過度限制,繁冗的投資審批流程時常導致企業(yè)被迫推遲投資。
在人力資源方面,韓國半導體人才數(shù)量和質量均不能滿足產(chǎn)業(yè)需求,人才短缺問題嚴重。由于政府近年來減少了對高校的研發(fā)支持,半導體專業(yè)人才的供給遠不及產(chǎn)業(yè)界需求。同時,無晶圓廠以及材料、零部件和設備領域中小、中堅企業(yè)的人才流失問題較為嚴重。
在技術實力方面,韓國在存儲半導體領域的技術優(yōu)勢正在逐步弱化,而在系統(tǒng)半導體全周期(設計—制造—組裝)中,與技術領先國家的差距依然存在。此外,人工智能半導體、電力半導體等新一代半導體的全球技術競爭正在加劇。
在半導體材料、零部件和設備方面,韓國本土材料、零部件和設備企業(yè)競爭力不足,對特定國家的依賴度較高,同時受俄烏沖突和中美戰(zhàn)略競爭等因素影響,供應鏈風險較大。
三、四大行動方向
行動方向1:大力支持企業(yè)投資
一是支持基礎設施建設,促進企業(yè)投資。具體措施包括:對核心半導體產(chǎn)業(yè)園區(qū)用電用水等必要基礎設施建設提供資金支持;將半導體產(chǎn)業(yè)園區(qū)最大容積率從350%提升至490%,增加在有限土地上新建、擴建設備的許可量;實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設相關許可程序的快速審批處理。
二是加強對企業(yè)投資的稅收減免力度。具體舉措包括:加大對半導體設備投資的稅收優(yōu)惠力度,將大企業(yè)對國家戰(zhàn)略技術的設備投資稅收抵免率提升至8~12%;擴大稅收抵免對象范圍,包括尖端工藝設備、測試、IP設計、技術驗證等相關設備投資和研發(fā)投資。
表1半導體設備投資稅收抵免力度
三是放寬各項限制,營造有利于創(chuàng)業(yè)的環(huán)境。具體舉措包括:允許半導體企業(yè)員工的工作時間超過國家法定工作時間;放寬《高壓氣體安全管理法》相關限制,使半導體尖端制造工藝所必需的設備得以迅速安裝;制定能夠激活半導體領域企業(yè)并購的政策工具。
行動方向2:官民合作培養(yǎng)半導體人才
一是對高校進行創(chuàng)新改革,大力培養(yǎng)半導體人才。具體舉措包括:放寬高校設立半導體等尖端產(chǎn)業(yè)相關專業(yè)的限制,鼓勵產(chǎn)業(yè)界專家兼職任教;新指定“半導體特色大學(主要針對本科生教育)”和“半導體特色研究生院”,由政府向其提供人員經(jīng)費、設備器材等支持;設立“半導體Brain Track”項目,支持非半導體專業(yè)的學生在第3—4學年輔修半導體專業(yè)。
二是推動產(chǎn)學合作,共同解決半導體產(chǎn)業(yè)人才短缺問題。具體舉措包括:設立“半導體學院”,由半導體協(xié)會負責設計并運營針對大學生、上班族等不同對象的培訓課程,由企業(yè)負責提供師資和設備等人力物力支持,政府提供財政支持,力求在未來5年內培養(yǎng)3600名符合產(chǎn)業(yè)界需求的人才;由政府和產(chǎn)業(yè)界共同投資3500億韓元,支持半導體研究生院的研發(fā)活動,培養(yǎng)實戰(zhàn)型碩博人才;由政府與材料、零部件和設備中小企業(yè)共同出資,在全國10所高校內開設材料、零部件和設備專業(yè),緩解中小企業(yè)人才短缺問題。
三是防止優(yōu)秀人才流失,制定海外人才吸引政策。具體舉措包括:對海外高級工程師等優(yōu)秀人才提供個人所得稅減免優(yōu)惠政策(減免50%,并將時限從現(xiàn)行5年調整為10年);構建國內外專家數(shù)據(jù)庫,吸引海外優(yōu)秀人才;聘請半導體核心技術領域的退休研究人員從事專利審查工作,防止因赴海外工作導致技術外流。
行動方向3:確保系統(tǒng)半導體技術居世界領先地位
一是集中開發(fā)新一代半導體技術。具體舉措包括:啟動電力半導體技術研發(fā)計劃可行性調查,該計劃預計投入4500億韓元,重點研發(fā)電路設計、半導體工藝、材料等領域的18項核心技術;啟動車輛用半導體技術研發(fā)計劃可行性調查,該計劃預計投入5000億韓元,重點研發(fā)用于車輛的處理器、傳感器、電力半導體、混合信號芯片等領域的16項技術;投入1.25萬億韓元,支持研發(fā)人工智能半導體設計和制造技術,并將人工智能半導體應用至未來汽車、生物、機器人等支柱產(chǎn)業(yè)。
二是支持有潛力的無晶圓廠發(fā)展為世界級企業(yè)。具體舉措包括:選定30家具有潛力的本土無晶圓廠,對其提供“設計工具—企劃—技術—生產(chǎn)—銷售”全周期支持;推進未來汽車和能源領域的跨國企業(yè)與國有企業(yè)共同開發(fā)系統(tǒng)半導體;在未來汽車、能源等領域內組建“無晶圓廠—需求企業(yè)聯(lián)盟”,在“產(chǎn)品開發(fā)—測試—商用化”全周期內開展一站式合作。
三是加強系統(tǒng)半導體生態(tài)系統(tǒng)內各主體能力。具體舉措包括:構建一站式數(shù)字化平臺,利用數(shù)字技術打通無晶圓廠“設計—制作—商業(yè)化落地”全過程;加大對本土無晶圓廠試制品制作和量產(chǎn)方面的支持;成立由產(chǎn)學研專家組成的“先進后端工藝聯(lián)合體”,探討制定先進半導體后端工藝技術發(fā)展藍圖和中長期發(fā)展方向;開發(fā)封裝設計、材料、工藝和測試等四大半導體后端工藝的核心技術。
行動方向4:構建穩(wěn)定的材料、零部件和設備生態(tài)系統(tǒng)
一是繼續(xù)支持材料、零部件和設備領域核心戰(zhàn)略技術研發(fā),推動先導型研發(fā)活動。具體舉措包括:為搶占未來市場,將材料、零部件和設備領域的“先導型”技術研發(fā)比重擴大到20%以上(現(xiàn)有比重為9%);對擁有先進封裝、EUV光掩模等核心戰(zhàn)略技術的企業(yè),提供研發(fā)、測試平臺構建等方面的支持;在能夠引領未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術領域,開展競爭性研發(fā)項目。
二是構建培育材料、零部件和設備企業(yè)創(chuàng)新集群。具體舉措包括:構建“半導體材料、零部件和設備園區(qū)”,對相關企業(yè)和無晶圓廠提供選址支持(詳見表2);構建“迷你晶圓廠”,對材料、零部件和設備企業(yè)的試制品從分析到量產(chǎn)測試的全過程提供早期商業(yè)化支持。
表2半導體材料、零部件和設備園區(qū)建設現(xiàn)狀
 

面積

投入運行時間

領域

正在建設

第三板橋“技術谷”

3.3 萬平方米

2024

研發(fā)

龍仁“平臺城市”

10 萬平方米

2026

制造

完成建設

第二板橋“全球商務中心”

1.65 萬平方米

2023 2

研發(fā)


三是加大對材料、零部件和設備企業(yè)的金融支持。具體舉措包括:由官民聯(lián)合設立“半導體生態(tài)系統(tǒng)基金”,總計投入3000億韓元(約合人民幣15.6億元),其中2000億韓元用于投資材料、零部件和設備企業(yè),1000億韓元用于支持材料、零部件和設備企業(yè)以及無晶圓廠的企業(yè)并購。